[发明专利]一种双霍尔传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010865321.3 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN112038484B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 林河北;梅小杰;覃尚育;解维虎;邹荣涛 | 申请（专利权）人： | 深圳市金誉半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/04;H01L43/14;G01D5/14 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于霍尔器件技术领域，涉及一种双霍尔传感器及其制备方法，该双霍尔传感器包括两个霍尔片结构；霍尔片结构包括霍尔本体、绝缘层和导电件；霍尔本体包括衬底、有源层、隔离层和四个电极层；有源层设于衬底上，隔离层和电极层均设置于有源层上，且电极层分散设置于隔离层的外围；于电极层的位置，衬底开设有第一通孔，有源层开设有第二通孔，导电件顺次插接于第一通孔、第二通孔后抵顶连接于电极层，导电件远离电极层的一端外置于衬底；绝缘层设于第一通孔、第二通孔各自的孔壁与导电件之间的位置；两个霍尔片结构通过各自的导电件外置衬底的部分进行连接。该双霍尔传感器及其制备方法提供的技术方案能降低电压偏移量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 霍尔 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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