[发明专利]一种双霍尔传感器及其制备方法

说明书

本发明属于霍尔器件技术领域，涉及一种双霍尔传感器及其制备方法，该双霍尔传感器包括两个霍尔片结构；霍尔片结构包括霍尔本体、绝缘层和导电件；霍尔本体包括衬底、有源层、隔离层和四个电极层；有源层设于衬底上，隔离层和电极层均设置于有源层上，且电极层分散设置于隔离层的外围；于电极层的位置，衬底开设有第一通孔，有源层开设有第二通孔，导电件顺次插接于第一通孔、第二通孔后抵顶连接于电极层，导电件远离电极层的一端外置于衬底；绝缘层设于第一通孔、第二通孔各自的孔壁与导电件之间的位置；两个霍尔片结构通过各自的导电件外置衬底的部分进行连接。该双霍尔传感器及其制备方法提供的技术方案能降低电压偏移量。

技术领域

本发明涉及霍尔器件技术领域，尤其涉及一种双霍尔传感器及其制备方法。

背景技术

磁场传感器是一种将磁场转成相应电信号的电子器件。霍尔效应物理本质是洛伦兹力影响了电流中载流子的运动方向。当偏置电流流过一个通有磁场的导体或半导体时，洛伦兹力使载流子的运动方向偏离偏置电流和磁场方向，于是载流子在另一方向上聚集，产生电势差，即和偏置电流和磁场大小成比例的霍尔电压。利用霍尔效应实现的磁场传感器就是霍尔器件，得益于和微电子工艺的完美结合，低成本的霍尔传感器己经成为最广泛使用的磁场传感器，目前市场销售额达到数十亿美元。它通常作为无接触式传感器的关键部件用于线性位置、旋转角度、速度和电流等检测，己广泛应用在工业控制、消费电子、汽车工业等领域。

但是，现有的霍尔器件因为各种外部原因和内部原因会产生电压偏移，电压偏移会严重影响霍尔器件的测量精度。

因此，亟需一种能够消除或抑制电压偏移的霍尔器件。

发明内容

本发明实施例的目的在于解决现有霍尔器件由于电压偏移导致严重影响霍尔器件的测量精度的技术问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种双霍尔传感器，采用了如下所述的技术方案：

该双霍尔传感器包括：两个霍尔片结构；所述霍尔片结构包括霍尔本体、绝缘层和导电件；

所述霍尔本体包括衬底、有源层、隔离层和四个电极层；所述有源层设置于所述衬底上，所述隔离层和四个所述电极层均设置于所述有源层上，且所有所述电极层分散设置于所述隔离层的外围；

于所述电极层的位置，所述衬底开设有第一通孔，所述有源层对应于所述第一通孔的位置开设有第二通孔，所述第一通孔与所述第二通孔连通设置；所述导电件顺次插接于所述第一通孔、所述第二通孔后抵顶连接于所述电极层，所述导电件远离所述电极层的一端外置于所述衬底；所述绝缘层设置于所述第一通孔、所述第二通孔各自的孔壁与所述导电件之间的位置；

两个所述霍尔片结构通过各自的所述导电件外置所述衬底的部分进行连接。

作为上述技术方案的进一步改进，所述绝缘层包括二氧化硅层。

作为上述技术方案的进一步改进，所述导电件由具有导电性能的金属材料制备形成。

作为上述技术方案的进一步改进，所述导电件包括导电本体和连接板件，所述导电本体插接于所述第一通孔和所述第二通孔中，所述连接板件与所述导电本体靠近所述衬底的一端连接，且所述连接板件外置于所述衬底；

两个所述霍尔片结构通过各自的所述连接板件相互贴合进行连接。

作为上述技术方案的进一步改进，其中一所述霍尔片结构对应的所述连接板件与另一所述霍尔片结构对应的所述连接板件之间通过焊接连接。

作为上述技术方案的进一步改进，所述衬底和所述隔离层的掺杂类型均为P型掺杂；所述有源层和所述电极层的掺杂类型均为N型掺杂。

作为上述技术方案的进一步改进，所述衬底和所述隔离层的掺杂类型均为N型掺杂；所述有源层和所述电极层的掺杂类型均为P型掺杂。