[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010864457.2 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN111952167B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 许鹏凯;乔夫龙;孙文彦;黄煜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/311;H01L27/11524;H01L27/11531 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。上述制造方法包括：提供形成有多个堆叠栅极的衬底，堆叠栅极的上方依次形成有氮化硅掩膜层和氧化硅掩膜层；沉积覆盖衬底、堆叠栅极及其上方掩膜层的含碳的第一氧化硅薄层；沉积非含碳的第二氧化硅层以填满多个堆叠栅极之间的间隙；以氮化硅掩膜层为停止层平坦化第一氧化硅薄层和第二氧化硅层以去除堆叠栅极上方的氧化硅掩膜层以及去除第二氧化硅层，保留堆叠栅极侧壁的第一氧化硅薄层为第一侧墙。本发明还提供了根据上述制造方法所形成的半导体器件。根据本发明所提供的半导体器件及其制造方法，能够通过简单的工艺流程去除堆叠栅极上方的氧化硅掩膜层，并通过形成含碳氧化硅材质的侧墙提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
