[发明专利]LDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010864189.4 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN111987164B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 葛薇薇 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;冯丽欣 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本专利申请公开了一种LDMOS器件及其制造方法，该制造方法包括：在衬底上方形成外延层，在外延层中注入形成漂移区与阱区；在部分阱区上方形成栅极结构；在外延层上方形成具有第一开口的第一掩模，经第一开口斜角注入形成反型区，反型区在漂移区中与漏区掺杂相反并关于漏区左右对称，与此同时，经第一掩模的第二开口在阱区中形成额外的与阱区掺杂类型相同的掺杂区；之后同样在该第一开口和第二开口进行源区以及漏区的掺杂。本专利的优势在于用同一掩模形成漏区、漂移区中的反型区、及阱区内额外的与阱区相同掺杂浓度的掺杂区，不仅可以有效的提升器件击穿电压，降低器件比导通电阻，并且提升器件的自防护能力，与此同时却又不增加任何额外成本。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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