[发明专利]一种射频芯片液冷散热工艺在审
| 申请号： | 202010855293.7 | 申请日： | 2020-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN111952194A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 黄雷;冯光建;高群;郭西;顾毛毛 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/52;H01L23/46 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种射频芯片液冷散热工艺，包括以下步骤：(a)、提供衬底，在衬底正面刻蚀不同深度的TSV，电镀使金属填满TSV，制作RDL和焊盘，对衬底正面做临时键合，衬底背面做减薄使长的TSV底部露头，得到第一衬底；(b)、在第一衬底背面刻蚀空腔，使TSV底部金属露出，在空腔内嵌入芯片，在第一衬底背面制作RDL和焊盘；(c)、在芯片背面的衬底面刻蚀空腔到芯片底部，继续刻蚀使空腔达到芯片的内部，使空腔直达芯片的散热区域，得到第一衬底；(d)、形成具有微流道散热的最终结构。本发明的射频芯片液冷散热工艺，通过在衬底底部开凹槽的方式，把凹槽直接开到芯片发热器件的底部，通过液冷散热通道使芯片的热量能够快速的传递出去，大大增加了系统的散热能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 芯片 散热 工艺 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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