[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010850307.6 | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN112420613A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 黄麟淯;王圣璁;张家豪;林天禄;林佑明;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请一方面提供一种形成半导体器件的方法，包括：在鳍部上方形成第一伪栅极和第二伪栅极，所述鳍部在衬底之上突出；分别用第一金属栅极和第二金属栅极替换所述第一伪栅极和所述第二伪栅极；在所述第一金属栅极和所述第二金属栅极之间形成介电切割图案，与所述第一金属栅极和所述第二金属栅极相比，所述介电切割图案从所述衬底延伸得更远；在所述第一金属栅极、所述第二金属栅极、以及所述介电切割图案上方形成图案化的掩模层，所述图案化的掩模层中的开口暴露出所述开口下面的所述第一金属栅极的一部分、所述第二金属栅极的一部分、以及所述介电切割图案的一部分；用第一导电材料填充所述开口；以及使所述第一导电材料凹进到所述介电切割图案的上表面的下方。本申请另一方面提供一种半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
