[发明专利]紫外发光二极管外延片制备方法及外延片有效

专利信息
申请号: 202010850062.7 申请日: 2020-08-21
公开(公告)号: CN112151644B 公开(公告)日: 2022-08-12
发明(设计)人: 刘旺平;舒辉;张武斌;葛永晖;郭炳磊;刘春杨;梅劲 申请(专利权)人: 华灿光电(苏州)有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/46
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 吕耀萍
地址: 215600 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本公开提供了一种紫外发光二极管外延片制备方法及外延片,属于发光二极管技术领域。在Al2O3衬底的第二表面上依次生长AlN层与Al层形成反射层。在生长反射层之前使用紫外光源对Al2O3衬底的第一表面进行照射时,Al2O3衬底中的Al、O键会被紫外能量破坏,Al2O3衬底的第一表面的表面粗糙度会增加,大部分紫外光的入射角相对第一表面的粗糙度较小时紫外光的入射角变大,相应地紫外光的折射率降低,紫外光的反射率提高。反射层仅包括AlN层与Al层双层结构,结构简单也易于制备,可以在提高紫外发光二极管的发光效率的同时降低紫外发光二极管的制备成本。
搜索关键词: 紫外 发光二极管 外延 制备 方法
【主权项】:
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