[发明专利]一种磁性随机存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 202010849181.0 | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN111952438A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 杨美音;高建峰;崔岩;罗军;许静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/06;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种磁随机存储器及其制造方法，包括自旋轨道耦合层，自旋轨道耦合层的材料为钨合金材料，自旋轨道耦合层上的堆叠层，堆叠层包括依次层叠的磁性自由层、遂穿层和磁性固定层，自旋轨道耦合层控制磁性自由层的磁化方向，磁性固定层的磁化方向是固定的。这样，选择钨合金材料作为自旋轨道耦合层，电流通入自旋轨道耦合层后，由于钨合金材料的自旋霍尔角大，电流与自旋流之间的转化效率较高，产生的垂直于电流方向的自旋流较高，使得能够自旋轨道耦合层能够更快的翻转磁性自由层的磁化方向，提高读取速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 随机 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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