[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法

摘要

本申请提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，该制造方法可以包括，提供衬底，在衬底上形成绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠层，堆叠层的侧壁为台阶结构，台阶结构的台阶面为牺牲层，在台阶结构的侧壁上形成第一介质层后，在台阶结构的台阶面上形成第二介质层，第二介质层和牺牲层的材料一致，这样第二介质层与台阶面的牺牲层接触，而第一介质层将第二介质层和侧壁上的牺牲层隔离开。因此，可以在台阶结构被第三介质层覆盖后，去除牺牲层和第二介质层，得到栅极间隙，在栅极间隙中填充导电材料，得到栅极层，栅极层具有更高的可靠性，且即使第二介质层的厚度较大而使栅极层的端部较厚，也不会使不同的栅极层接触，因此可以实现栅极层的可靠的引出。