[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制造方法

摘要

本申请实施例公开了一种高电子迁移率晶体管及其制造方法，方法包括：提供晶圆，在该晶圆的上端面采用光刻刻蚀工艺形成栅极槽，并在该栅极槽的上端面沉积栅极金属和钝化层，采用光刻刻蚀工艺形成栅极；采用回刻工艺在该栅极两侧形成自对准工艺所需的栅极侧墙；沉积源极和漏极金属层，使得该源极和漏极金属层覆盖该钝化层以及该侧墙，得以自对准形成源漏接触，刻蚀该源极和漏极金属层，以形成源极和漏极，得到该高电子迁移率晶体管。通过设置于栅极上方的钝化层以及栅极两侧的侧墙，将栅极与源极和漏极隔离开，缩小栅极尺寸的同时，缩小栅极与源漏极之间的距离，以此缩小高电子迁移率晶体管HEMT的尺寸，减少寄生电阻，提升HEMT器件性能。