[发明专利]磁性原子掺杂的超晶格材料[GeTe/Sb2有效

专利信息
申请号: 202010836395.4 申请日: 2017-11-17
公开(公告)号: CN111952362B 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 程晓敏;夏泽瑛;张瑾;冯金龙;童浩;缪向水 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L29/66 分类号: H01L29/66
代理公司: 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 代理人: 张宇娟
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种磁性原子掺杂的超晶格材料[GeTe/Sb2Te3]n晶体结构模型的构建方法,包括如下步骤:第一步,建立超晶格材料[GeTe/Sb2Te3]n表面结构;第二步,选择表面结构进行磁性原子掺杂,建立磁性原子掺杂的超晶格材料[GeTe/Sb2Te3]n表面模型;第三步,对磁性原子掺杂的超晶格材料[GeTe/Sb2Te3]n模型进行结构优化及静态自洽计算;第四步,计算得到磁性原子掺杂后的表面能带图及未掺杂时的纯净超晶格材料表面能带图;第五步,对比分析得到磁性原子掺杂后超晶格材料GeTe/Sb2Te3表面能带结构的变化,确定磁性原子掺杂对材料拓扑绝缘性能的影响。通过对不同的掺杂元素引入初始超晶格材料的方案进行构建,能带结构图能够明显看出掺杂后的超晶格材料的表面能带结构的狄拉克点打开,同时引发能带产生自旋劈现象。
搜索关键词: 磁性 原子 掺杂 晶格 材料 gete sb base sub
【主权项】:
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