[发明专利]电阻式存储装置以及其制作方法在审
| 申请号： | 202010835984.0 | 申请日： | 2020-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN114078901A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 杨柏宇 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种电阻式存储装置以及其制作方法，其中该电阻式存储装置包括第一堆叠结构与第二堆叠结构。第一堆叠结构包括第一下电极、第一上电极设置于第一下电极上以及第一可变电阻层于垂直方向上设置于第一下电极与第一上电极之间。第二堆叠结构包括第二下电极、第二上电极设置于第二下电极上以及第二可变电阻层于垂直方向上设置于第二下电极与第二上电极之间。第一可变电阻层的厚度小于第二可变电阻层的厚度，由此增加电阻式存储装置可切换的电阻状态。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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