[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子设备有效
| 申请号： | 202010833768.2 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN112071912B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 李永亮;程晓红;李俊杰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 何丽娜;王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，在抑制源区和漏区向半导体衬底漏电的情况下，提高半导体器件的性能。该半导体器件包括半导体衬底、堆叠结构、源区、漏区、栅堆叠和隔离结构。堆叠结构形成在半导体衬底上。堆叠结构包括多层间隔分布的半导体材料层。每层半导体材料层均包括源形成区、漏形成区、以及位于源形成区和漏形成区之间的沟道区。源区至少包括每一层半导体材料层位于源形成区的部分，漏区至少包括每一层半导体材料层位于漏形成区的部分。栅堆叠环绕在每一沟道区的外围。隔离结构位于相邻源形成区之间、源形成区和半导体衬底之间，以及相邻漏形成区之间、漏形成区和半导体衬底之间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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