[发明专利]离子注入的监控方法、装置及设备有效

专利信息
申请号: 202010817062.7 申请日: 2020-08-14
公开(公告)号: CN111933506B 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 马富林;郑刚;曹志伟 申请(专利权)人: 华虹半导体(无锡)有限公司
主分类号: H01J37/244 分类号: H01J37/244;H01J37/317;H01J37/304
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 黎伟
地址: 214028 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本申请公开了一种离子注入的监控方法、装置及设备,该方法包括:使电流测试模块的窗口偏转,电流测试模块设置于离子注入机的质荷筛选器中,窗口用于使述质荷筛选器筛选后的离子束偏转通过;获取监控信息,监控信息包括窗口的偏转角度以及偏转角度对应的电流值,电流值是离子束中的离子通过窗口产生的电流的电流值;根据监控信息计算得到离子束中目标离子的纯度。本申请通过在离子注入设备的质荷筛选器中设置包含窗口的电流测试模块,使窗口偏转且记录偏转角度和偏转角度对应的电流值,基于偏转角度和偏转角度对应的电流值计算得到离子束中目标离子的纯度,从而实现了对离子注入的纯度的实时监控,提高了半导体器件的制造效率。
搜索关键词: 离子 注入 监控 方法 装置 设备
【主权项】:
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