[发明专利]半导体器件及半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 202010805989.9 | 申请日： | 2020-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN114078850A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 刘忠明 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件及半导体器件的形成方法，能够解决外围接触着陆焊盘的形态不好、导电性不佳的问题，提高存储器的制备良率。所述半导体器件的形成方法，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底具有依次邻接的外围区、接合区和器件区；在所述衬底的上表面形成金属层；在所述金属层上方形成介电层；在所述介电层中形成开孔，所述开孔位于所述外围区或接合区中至少一处的上方，以暴露所述金属层形成接触窗，且暴露于所述接触窗的金属层的上表面高度低于位于所述器件区的金属层的上表面高度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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