[发明专利]一种整流器及其制造方法在审
| 申请号： | 202010800094.6 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN111987170A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 孙闫涛;黄健;张朝志;顾昀浦;宋跃桦;吴平丽;樊君;张丽娜;虞翔;陈祖润 | 申请（专利权）人： | 捷捷微电（上海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 | 代理人： | 曾敬 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种整流器及其制造方法，包括第一导电类型的衬底，所述衬底的表面为第一主面；所述衬底具有沟槽，所述沟槽中填充有第一多晶硅，所述第一多晶硅与所述沟槽的侧壁隔离有第一氧化层；邻接所述沟槽侧壁的第一主面上设置有第二导电类型的第一掺杂区，以及位于所述第一掺杂区表面被所述第一掺杂区侧面包围的第一导电类型的第二掺杂区；位于相邻沟槽间的第一掺杂区之间的第一主面上设置有第二氧化层，所述第二氧化层上设置有第二多晶硅。本发明通过设置较薄的第二氧化层以获得更低的正向导通电压；通过设置沟槽能够获得更高的反向击穿电压，同时通过降低PN结处的电场强度，获得了更低的反向漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 整流器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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