[发明专利]一种TFT基板及其制造方法、显示面板在审
| 申请号： | 202010795044.3 | 申请日： | 2020-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN112002763A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 赵舒宁;徐源竣 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 王芳芳 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种TFT基板及其制造方法，显示面板，所述TFT基板包括：衬底基板；有源层，设置于衬底基板上方；有源层包括沟道区、源极区和漏极区；沟道区的材料为氧化物半导体，源极区和漏极区的材料为导体化氧化物半导体；栅极绝缘层和栅极，依次设置于沟道区上方；氧化钛层，覆盖源极区及漏极区；源极和漏极，设置于氧化钛层上方，氧化钛层上设置有第一过孔，源极和漏极通过第一过孔分别和源极区与漏极区接触。通过在TFT基板中增加一金属钛层，钛层在有源层相应部位导体化处理过程中夺取有源层中的O原子，在实现导体化的同时钛层被氧化，被氧化的钛层可有效阻挡其上方膜层H原子和O原子的含量变化对薄膜晶体管电性的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft 及其 制造 方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
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