[发明专利]六方氮化硼、其制造方法及电器件和半导体器件在审
| 申请号： | 202010787644.5 | 申请日： | 2020-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN112442734A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 李昌锡;申铉石;申铉振;洪锡模;马庆烈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;蔚山科学技术院 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/40;H01L29/20;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及六方氮化硼、其制造方法及电子器件和半导体器件。在此公开了一种制造六方氮化硼的方法，其中六方氮化硼被外延地生长。一种制造六方氮化硼的方法包括：将催化金属放置在腔室中，该催化金属具有六方晶体结构并与腔室中的六方氮化硼(h‑BN)具有15％或更小的晶格失配；以及在将氮源和硼源供应到腔室中的同时，在800℃或更低的温度下在催化金属上生长六方氮化硼。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 制造 方法 器件 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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