[发明专利]半导体器件和形成包括铁电场效应晶体管的器件的方法在审
| 申请号： | 202010787004.4 | 申请日： | 2020-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN112447849A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 张智胜 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/1159 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括铁电场效应晶体管(FeFET)，其中，FeFET包括：衬底；源极区域，位于衬底中；漏极区域，位于衬底中；和栅极结构，位于衬底上方并且位于源极区域和漏极区域之间。栅极结构包括：栅极介电层，位于衬底上方；铁电膜，位于栅极介电层上方；和栅电极，位于铁电膜上方。本发明的实施例还涉及形成包括铁电场效应晶体管的器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 包括 电场 效应 晶体管 器件 方法 | ||
【主权项】：
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