[发明专利]一种P型Cu2Se基热电元件及其一体化制备工艺

摘要

本发明涉及一种P型Cu2Se基热电元件及其制备方法，在热端的电极和热电材料之间设置Ni层和Al‑Mo伪合金层相邻共同构成的双过渡层；而在冷端的电极和热电材料之间采用单过渡层Ni。该P型Cu2Se基热电元件的结构从热端到冷端依次为：第一焊接过渡层Ni、过渡层伪合金、Cu2Se层和第二焊接过渡层Ni。本发明通过在热端设置双过渡层，在解决可焊性的基础上阻止高温下Cu2Se与焊接过渡层Ni直接接触而发生反应使器件性能劣化。并且,本发明采用一步烧结法在炉内完成过渡层伪合金的合成，以及Cu2Se材料致密化，同时实现整个热电元件的连接，该工艺大大提高了制备效率，节约了资源，同时增强了界面结合性能。