[发明专利]一种基于氧化钼／二硫化钼／氧化钼异质结构的光电晶体管及其制作方法

摘要

本发明涉及新型纳米半导体材料光电晶体管的研发与应用领域，具体为一种基于氧化钼/二硫化钼/氧化钼异质结构的光电晶体管及其制作方法。二硫化钼(MoS2)因具有优异的光吸收效率和高稳定性而被认为是实现光电晶体管的最具前途的二维纳米材料之一，并且可以和氧化钼(α‑MoO3‑x)形成具有理想界面的二维材料异质结。本发明基于氧化钼/二硫化钼/氧化钼异质结构的光电晶体管，其源端α‑MoO3‑x/MoS2异质结可以通过积累空穴改变能带结构，从而产生光增益，增强光生电流，同时漏端异质结通过提供更多空穴进一步增强光增益，使得晶体管具有大的响应度、明暗电流比和外量子效率，得到迄今为止MoS2探测器报道的最高探测度。