[发明专利]微结构增强吸收光敏装置在审
申请号: | 202010766983.5 | 申请日: | 2020-08-03 |
公开(公告)号: | CN112582387A | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 王士原;王士平 | 申请(专利权)人: | 文和文森斯设备公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L31/105;H01L31/107 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杜诚;崔俊红 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 横向和垂直微结构增强光电检测器和雪崩光电检测器与CMOS/BiCMOS ASIC单片集成,并且也可以使用流体组装技术与激光装置集成。光电检测器可以被配置成垂直PIN布置或横向金属‑半导体‑金属布置,其中电极呈叉指状。微结构诸如孔和突起可以提高硅、锗和III‑V材料的量子效率,并且还可以降低雪崩光电二极管的雪崩电压。应用包括数据中心、电信、LIDAR和自由空间数据通信内以及数据中心、电信、LIDAR和自由空间数据通信之间的光通信。 | ||
搜索关键词: | 微结构 增强 吸收 光敏 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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