[发明专利]微结构增强吸收光敏装置在审

专利信息
申请号: 202010766983.5 申请日: 2020-08-03
公开(公告)号: CN112582387A 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 王士原;王士平 申请(专利权)人: 文和文森斯设备公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L31/105;H01L31/107
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 杜诚;崔俊红
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 横向和垂直微结构增强光电检测器和雪崩光电检测器与CMOS/BiCMOS ASIC单片集成,并且也可以使用流体组装技术与激光装置集成。光电检测器可以被配置成垂直PIN布置或横向金属‑半导体‑金属布置,其中电极呈叉指状。微结构诸如孔和突起可以提高硅、锗和III‑V材料的量子效率,并且还可以降低雪崩光电二极管的雪崩电压。应用包括数据中心、电信、LIDAR和自由空间数据通信内以及数据中心、电信、LIDAR和自由空间数据通信之间的光通信。
搜索关键词: 微结构 增强 吸收 光敏 装置
【主权项】:
暂无信息
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