[发明专利]一种二硫化钼场效应晶体管及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010748373.2 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111969058B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 高庆国 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学中山学院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/34;H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京一枝笔知识产权代理事务所(普通合伙) 11791 | 代理人： | 郑怿 |
| 地址： | 528400 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种二硫化钼场效应晶体管及其制备方法和应用，该二硫化钼场效应晶体管包括依次设置的衬底层、第一金属层、第一栅介质层与二硫化钼半导体薄膜层，二硫化钼半导体薄膜层两侧分别设有源接触电极与漏接触电极，第二、第三栅介质层以及第二金属层，第二金属层穿过第一栅介质层、第二和第三栅介质层与第一金属层接触。本发明实施例通过设置第一金属层与第二金属层分别作为底栅和顶栅来同时控制二硫化钼沟道，增强对沟道的静电控制能力，有助于进一步缩小尺寸，同时提升器件低功耗性能和高频性能表现，解决了现有二硫化钼场效应晶体管结构在低功耗性能和高频性能方面存在不足的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二硫化钼 场效应 晶体管 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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