[发明专利]基片处理装置和基片干燥方法在审
| 申请号： | 202010744130.1 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN112331608A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 中田克弥;福井祥吾 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供基片处理装置和基片干燥方法。本发明的基片处理装置能够进行使用超临界状态的处理流体使在图案形成面形成有液膜的基片干燥的干燥处理，该基片处理装置包括处理容器、保持部和供给部。处理容器收纳基片。保持部在处理容器内保持基片。供给部对处理容器内供给处理流体。而且，保持部包括基座部、多个支承部件和升降机构。基座部配置在基片的下方。多个支承部件设置在基座部上，并能够从下方支承基片。升降机构使多个支承部件升降。本发明能够在使用超临界状态的处理流体使基片干燥的技术中，抑制形成于基片的上表面的图案的倒塌。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 干燥 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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