[发明专利]相变随机存取记忆体单元操作方法在审
| 申请号： | 202010734298.4 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN112309465A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，本揭示案是关于相变记忆体单元的操作方法，此方法包括将第一数据状态及第二数据状态写入相变记忆体单元。为了写入第一数据状态，相变材料被加热到相变材料的熔点，随后在第一预定时间段内冷却到低于相变材料熔点的环境温度，从而固化相变材料以对应于第一数据状态。为了写入第二数据状态，将相变材料加热到其熔点，随后在第二预定冷却时间段内冷却到环境温度，从而固化相变材料以对应于第二数据状态。第二预定冷却时间段不同于第一预定时间段。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 随机存取 记忆体 单元 操作方法 | ||
【主权项】：
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