[发明专利]半导体器件的制备方法及半导体器件有效
| 申请号： | 202010732615.9 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113990799B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 张魁;应战 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;孙宝海 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开是关于一种半导体器件的制备方法及半导体器件，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，其包括浅沟槽及有源区；在浅沟槽及有源区暴露的外表面形成含氧层；在表面包括含氧层的浅沟槽内填充设定高度的第一隔离层，设定高度低于有源区的高度；在第一隔离层的上表面形成刻蚀停止层；在浅沟槽中刻蚀停止层之上填充第二隔离层，以形成浅沟槽隔离结构；刻蚀有源区和浅沟槽隔离结构，以形成字线沟槽，其中浅沟槽隔离结构内的字线沟槽的底部高于设定高度。本公开的制备方法可以利用刻蚀停止层，控制浅沟槽隔离结构内的字线沟槽的深度，使其尽量与有源区内的字线沟槽的深度保持一致。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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