[发明专利]一种用小分子生长大面积少层氮掺杂石墨烯的方法有效
| 申请号： | 202010731926.3 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN111994900B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 吴琼 | 申请（专利权）人： | 上海妙维新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用小分子生长大面积少层氮掺杂石墨烯的方法，包括如下步骤：放置原料、设定反应条件、生长和后处理，所述生长原料为芳香族小分子化合物，且所述芳香族小分子化合物的苯环与至少一个氮原子共价连接，所述生长衬底为金属衬底。本发明用小分子生长大面积少层石墨烯的方法通过芳香族小分子化合物提供碳源并在金属衬底上生长大面积少层氮掺杂石墨烯，生长温度达到300～500℃时，金属衬底具有一定的催化还原能力，能够催化芳香族小分子化合物还原成氮掺杂石墨烯并附着于金属衬底上，提升了制备过程的安全性、降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分子 生长 大面积 少层氮 掺杂 石墨 方法 | ||
【主权项】：
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