[发明专利]处理基板的方法在审
申请号: | 202010727443.6 | 申请日: | 2020-07-24 |
公开(公告)号: | CN112309906A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 卡尔·海因兹·普里瓦瑟 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/78 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 张洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及处理基板(2)的方法,该基板具有第一侧面(4)、和与第一侧面(4)相反的第二侧面(6)。具体地,本发明涉及一种方法,该方法包括设置具有前表面(12)、和与前表面(12)相反的后表面(14)的保护膜(8);且提供用于保持基板(2)的保持框架(10)。保持框架(10)具有中心开口(16)。该方法还包括:将保持框架(10)附接到保护膜(8)的后表面(14),以便通过保护膜(8)闭合保持框架(10)的中心开口(16);以及将基板(2)的第一侧面(4)或基板(2)的第二侧面(6)附接到保护膜(8)的前表面(12)。此外,该方法包括:从基板(2)的、与基板(2)的附接至保护膜(8)的前表面(12)的侧面相反的侧面来处理基板(12),和/或从基板(2)的、附接到保护膜(8)的前表面(12)的侧面来处理基板(2)。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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