[发明专利]热处理方法以及热处理装置在审
| 申请号： | 202010725076.6 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN112420498A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 上野智宏;北泽贵宏;野崎仁秀 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/263 | 分类号： | H01L21/263;H01L21/268;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种即使形成有多层薄膜也能够正确地测定基板的温度的热处理方法以及热处理装置。设定并输入形成在半导体晶圆的正面的薄膜的膜信息、半导体晶圆的基板信息、以及上部辐射温度计的设置角度。基于所述各种信息来计算形成有多层膜的半导体晶圆的正面的辐射率。该辐射率是从上部辐射温度计的设置角度所观察到的半导体晶圆的表观辐射率。进而，基于上部辐射温度计的感度分布求出半导体晶圆的正面的辐射率的加权平均值。使用所求出的辐射率的加权平均值测定热处理时半导体晶圆的正面温度。因为是基于膜信息等求出辐射率，所以即使形成有多层薄膜也能够正确地测定半导体晶圆的正面温度。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
