[发明专利]硅掺杂碳化锗膜、光学薄膜及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202010711668.2 申请日: 2020-07-22
公开(公告)号: CN111856626B 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 伏开虎;金扬利;何坤;高帅;何依雪;李宝迎;刘永华;祖成奎 申请(专利权)人: 中国建筑材料科学研究总院有限公司
主分类号: G02B1/113 分类号: G02B1/113;G02B1/14;C23C16/32;C23C14/06;C23C14/35;G01J5/08
代理公司: 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 代理人: 张晓萍;刘铁生
地址: 100024*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明的主要目的在于提供一种硅掺杂碳化锗膜、光学薄膜及其制备方法和应用。所述硅掺杂碳化锗膜组成为Gea1SibCa2,0.01≤b≤0.2,a10,a20,0.8≤a1+a2≤0.99,a1+a2+b=1;所述光学薄膜包括基片,其材质为透红外材料;第一硅掺杂碳化锗膜,镀制于所述基片的表面。所要解决的技术问题是提供一种用于红外玻璃的功能层,使其不仅能提高碳化锗膜的硬度和抗摩擦磨损能力,同时又能保持碳化锗膜较低的应力和良好的红外透过率,获得综合性能优异的锗、硅共掺杂的红外碳基防护膜,将其制作为红外镜头应用于红外热成像系统中,可以延长其使用寿命,从而更加适于实用。
搜索关键词: 掺杂 碳化 光学薄膜 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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