[发明专利]金属层的形成方法、3D存储器件及其制造方法

摘要

公开了一种金属层的形成方法、3D存储器件及其制造方法，金属层的形成方法包括：在介质层表面依次堆叠形成硬掩模、第一牺牲层和第一光刻胶层；经由图案化的所述第一光刻胶层刻蚀所述第一牺牲层，形成多个轴芯；在多个所述轴芯表面形成氧化层；图案化所述氧化层去除所述轴芯，形成多个侧墙；在多个所述侧墙的间隙和顶部形成第二牺牲层；以所述侧墙为阻挡，经由图案化的第二光刻胶层刻蚀所述第二牺牲层和部分所述硬掩模；经由所述硬掩模的开口刻蚀所述介质层；在所述介质层的开口中填充金属层，其中，所述硬掩模包括氮化物层。该金属层的形成方法采用氮化物层做硬掩模，减小了工艺温度，保证了金属层的线粗糙度，扩大了工艺应用范围。