[发明专利]一种无衬底垂直型肖特基二极管的制作方法在审
| 申请号： | 202010702327.9 | 申请日： | 2020-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN111952161A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 范道雨;牛斌 | 申请（专利权）人： | 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种无衬底垂直型肖特基二极管的制作方法，包括：1)制作T形肖特基接触阳极；2)制作阳极台面；3)旋涂BCB介质并固化；4)BCB刻蚀，电镀制作压块和介质桥；5)背面减薄去除全部砷化镓衬底；6)背面欧姆接触制作；7)背面刻蚀BCB，最终实现无衬底垂直型肖特基二极管的制作。本发明通过正面的BCB保护，在背面全部去除砷化镓衬底后，再制作背面阴极欧姆接触，在保证一定机械强度下降低了肖特基二极管的串联电阻和寄生电容，大幅提升器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 垂直 型肖特基 二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
