[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202010693426.5 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN111799163A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 汤志林;王卉;付永琴;孙琪 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/11521;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成自下而上依次堆叠的第一氧化层、浮栅层和伪栅层；刻蚀伪栅层以形成伪栅极；依次形成第一侧墙和第二侧墙，第一侧墙覆盖伪栅极的侧壁，第二侧墙至少覆盖第一侧墙的底部，且第二侧墙不高于第一侧墙；以第一侧墙和第二侧墙为掩膜，刻蚀浮栅层和第一氧化层并停止在衬底上。通过在形成第一侧墙之后，在第一侧墙的底部形成第二侧墙，即增加了侧墙的厚度，进而在以第一侧墙和第二侧墙为掩膜刻蚀浮栅层时，由于增加了侧墙的厚度而保留了较长的浮栅层，进而增强了沟道的关断能力，解决了分栅快闪存储器由于侧墙厚度较薄而导致浮栅长度变短，使得分栅快闪存储器在编程时容易发生失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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