[发明专利]一种沿一维链状带方向择优生长的硫化锑薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202010684310.5 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN111900077A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 宋宁;欧于学;杨佳;刘国豪;张君;司圣和;徐宝强;李绍元;万贺利;杨斌;马文会;熊恒;曲涛;李一夫;田阳;蒋文龙;刘大春;郁青春;戴永年 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/032;H01L31/0445 |
| 代理公司： | 天津煜博知识产权代理事务所(普通合伙) 12246 | 代理人： | 朱维 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开沿一维链状带方向择优生长的硫化锑薄膜及其制备方法。本发明在等离子发生器的电场作用下，惰性气体，如氩气经过电场作用后等离子化获得高活性的氩离子和电子；高活性氩离子和电子相互碰撞回归基态，释放能量使得环境温度升高，升高的环境温度可以促进硫源熔化从而生成硫蒸气，硫蒸气在电场及高活性氩离子碰撞的作用下被等离子化；同时高活性氩离子、电子等粒子不断与硫源表面碰撞，硫源直接等离子化。两种路径下，等离子化硫不断增加，并与氩的各种粒子组合形成等离子态硫气氛。等离子态硫气氛通过热运动扩散到金属锑薄膜表面，并在加热的条件下与金属锑薄膜实现反应，从而获得到沿221、211和/或151晶面方向择优生长的硫化锑薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沿一维链状带 方向 择优 生长 硫化锑 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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