[发明专利]一种高效率的碳化硅长晶方法及装置有效
| 申请号： | 202010675196.X | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN111962147B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 刘星;柏文文;张亮;邱兴鲁;李鹏;徐伟强 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 刘德顺 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种高效率的碳化硅长晶方法及装置，属于晶体制备领域。该碳化硅长晶方法，包括如下步骤：提供坩埚、籽晶托以及驱动籽晶托翻转的驱动机构；将长晶原料放入坩埚底部的原料区，将两个籽晶分别固定在籽晶托的两个面上，并将籽晶托安装在坩埚顶部的长晶区，使第一籽晶的长晶面朝向原料区，组装后放入内部安装保温层的炉体内，在坩埚的顶部与保温层之间设置产品区；升高长晶炉的温度，使长晶原料升华分解后的升华气体沿坩埚的轴向气相传输至第一籽晶的长晶面，进行长晶，一定时间后，驱动机构驱动籽晶托旋转，使第二籽晶的长晶面朝向原料区，继续进行长晶。该长晶方法可以在单炉次中产出两块碳化硅晶体，提高生产效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效率 碳化硅 方法 装置 | ||
【主权项】：
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