[发明专利]垂直存储器件

摘要

公开了垂直存储器件和制造垂直存储器件的方法。该垂直存储器件包括：衬底，具有单元块区域、块分离区域和边界区域；多个堆叠结构，布置在单元块区域和边界区域中使得绝缘中间层图案与电极图案交替地堆叠在衬底上。堆叠结构通过块分离区域在第三方向上间隔开。多个沟道结构在单元块区域中在第一方向上穿过堆叠结构延伸到衬底，并连接到衬底。多个虚设沟道结构在边界区域中延伸穿过每个堆叠结构的上部部分，并连接到与衬底间隔开的虚设底部电极图案。因此，基本上防止了在衬底附近的桥接缺陷。