[发明专利]一种硅熔体可控凝固去除杂质元素的方法有效
| 申请号： | 202010669322.0 | 申请日： | 2020-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN111762786B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 魏奎先;邓小聪;马文会;吕国强 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 天津煜博知识产权代理事务所(普通合伙) 12246 | 代理人： | 朱维 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅熔体可控凝固去除杂质元素的方法，属于工业硅冶炼技术领域。本发明将硅熔体连续匀速加入到定向凝固连铸装置中，控制硅熔体的温度和流速、凝固速度以实现杂质元素的偏析富集，得到杂质元素含量梯级分布的硅锭产品，对硅锭产品进行取样检测，确定杂质元素含量梯级分布的节点，并对硅锭进行分级处理得到不同杂质元素总质量含量的各牌号等级的工业硅产品，其中杂质元素包括Al、Ca、Mn、Ti、Mg、P、B、S、V、Cr、Ni、Cu、Zn、Zr中的一种或多种。本发明可与现有的工业硅冶炼、硅熔体炉外精炼提纯的过程相结合，对硅熔体直接进行高效提纯，实现硅熔体中杂质元素的同步高效去除，精炼提纯后可将硅产品的等级提高2‑3个等级。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅熔体 可控 凝固 去除 杂质 元素 方法 | ||
【主权项】：
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