[发明专利]包括栅极层和竖直结构的半导体器件在审
| 申请号： | 202010629180.5 | 申请日： | 2020-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN112185966A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 金俊亨;千志成 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11519 | 分类号： | H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：衬底上的竖直结构；以及衬底上的层间绝缘层和栅极层，其中，栅极层顺序堆叠在存储单元阵列区中并延伸到延伸区中，栅极层在延伸区中具有呈阶梯结构的焊盘区，第一竖直结构的表面面对栅极层，第二竖直结构的表面面对至少一个栅极层，第一竖直结构包括第一芯图案、第一半导体层和焊盘图案，第二竖直结构包括第二芯图案和第二半导体层，每个芯图案包括绝缘材料，并且第二半导体层的上表面和第二芯图案的上表面距衬底比第一芯图案的上表面距衬底更远。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 栅极 竖直 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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