[发明专利]光电探测器及其制备方法有效
申请号: | 202010626516.2 | 申请日: | 2020-07-02 |
公开(公告)号: | CN111952384B | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 钱正芳;林俏露;王任衡;孙一翎;范姝婷 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
主分类号: | H01L31/0336 | 分类号: | H01L31/0336;H01L31/109;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 曹柳 |
地址: | 518060 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请属于光电子技术领域,尤其涉及一种光电探测器,所述光电探测器包括依次叠层设置的P型衬底层、非导电介质层、光生载流子接收层和光电转换层,以及设置在光电转换层相对的两端的金属电极层,且所述金属电极层与所述光生载流子接收层接触设置;所述光生载流子接收层包括石墨烯,所述光电转换层包括贫氧二氧化钛或者掺杂铜的二氧化钛。本申请光电探测器,通过光电转换层中贫氧二氧化钛或者掺杂铜的二氧化钛,不但能更好的减少因石墨烯表面的脱附效应产生的暗电流,并且可增加场效应管响应面积,提高光电探测器在可见光范围内的响应度和探测灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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