[发明专利]衬底、半导体器件及半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 202010624009.5 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111711063A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 杨国文;赵勇明;杨皓宇;赵卫东 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 钟扬飞 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本申请公开了一种衬底、半导体器件及半导体器件的制作方法，涉及半导体的技术领域。本申请的衬底的材料为In |
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| 搜索关键词： | 衬底 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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