[发明专利]衬底、半导体器件及半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 202010624009.5 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111711063A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 杨国文;赵勇明;杨皓宇;赵卫东 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 钟扬飞 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种衬底，应用于半导体激光器，其特征在于，所述衬底的材料为InxGa1-xAs，其中，0x1。
2.一种半导体器件，其特征在于，包括如权利要求1所述的衬底，以及设置在衬底上的外延层，所述外延层包括有源区，所述有源区的量子阱材料为InGaAs。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述外延层包括依次叠层设置的第一限制层、第一波导层、所述有源区、第二波导层、第二限制层以及欧姆接触层。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述欧姆接触层的材料为InGaAs；所述第一限制层的材料为(InAl)GaAs或(Al)GaInP；所述第二限制层的材料为(InAl)GaAs或(Al)GaInP；所述第一波导层的材料为(Al)GaAs，所述第二波导层的材料均为(Al)GaAs。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底的材料InxGa1-xAs中，0x0.4；
所述欧姆接触层的材料为InmGa1-mAs，其中0m0.4；
所述第一限制层的材料为InaAlbGa1-a-bAs或AlcGadIn1-c-dP，其中0a1，0b1，0c1，0d1；
所述第二限制层的材料为IneAlfGa1-e-fAs或AlgGahIn1-g-hP，其中0e1，0f1，0g1，0h1；
所述第一波导层的材料为AlnGa1-nAs，其中0n0.4；
所述第二波导层的材料均为AlkGa1-kAs，其中0k0.4。
6.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上生长外延层；
其中，所述衬底的材料为InxGa1-xAs，其中，0x1。
7.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述外延层包括第一限制层、第一波导层、有源区、第二波导层、第二限制层以及欧姆接触层；
所述在所述衬底上生长外延层包括：
将所述衬底置于反应设备中；
令所述反应设备处于预设温度和预设压力中；
在所述衬底上依次生长所述第一限制层、所述第一波导层、所述有源区、所述第二波导层、所述第二限制层以及所述欧姆接触层。
8.根据权利要求7所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述有源区的量子阱材料为InGaAs。
9.根据权利要求7所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述欧姆接触层的材料为InGaAs；所述第一限制层的材料为(InAl)GaAs或(Al)GaInP；所述第二限制层的材料为(InAl)GaAs或(Al)GaInP；所述第一波导层的材料为(Al)GaAs，所述第二波导层的材料均为(Al)GaAs。
10.根据权利要求9所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述衬底的材料InxGa1-xAs中，0x0.4；
所述欧姆接触层的材料为InmGa1-mAs，其中0m0.4；
所述第一限制层的材料为InaAlbGa1-a-bAs或AlcGadIn1-c-dP，其中0a1，0b1，0c1，0d1；
所述第二限制层的材料为IneAlfGa1-e-fAs或AlgGahIn1-g-hP，其中0e1，0f1，0g1，0h1；
所述第一波导层的材料为AlnGa1-nAs，其中0n0.4；
所述第二波导层的材料均为AlkGa1-kAs，其中0k0.4。
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