[发明专利]利用硼磷一步扩散制作硅整流芯片基片的方法在审
| 申请号： | 202010616940.9 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111710597A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 王永恒;王卿璞;任丕尧;保爱林;彭华新;马祖光;郭庆磊 | 申请（专利权）人： | 山东宝乘电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L21/228 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 耿霞 |
| 地址： | 256300 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种制作硅整流芯片基片的方法，具体涉及一种利用硼磷一步扩散制作硅整流芯片基片的方法。本发明将传统的硅整流芯片基片在制作过程中的四个步骤：磷扩散、浸泡氢氟酸将晶圆分离、吹砂减薄(除去磷扩散的反扩散层)、硼扩散四个步骤，合并为硼磷一步扩散，选择合适的扩散条件，所形成的扩散后基片可满足整流芯片的全部电特性的要求。采用该工艺不仅简化了流程、降低了碎片率及整个流程中的成本，且可采用更薄的圆晶片以降低原材料成本。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 一步 扩散 制作 整流 芯片 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东宝乘电子有限公司，未经山东宝乘电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010616940.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
