[发明专利]一种适用于MPCVD的TM022模式微波等离子体反应器在审
申请号: | 202010616434.X | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN111663119A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 袁博;刘虎;陈实 | 申请(专利权)人: | 四川三三零半导体有限公司 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511;C23C16/27;C23C16/458;C30B29/04;C30B25/00 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 陈仕超 |
地址: | 610000 四川省成都市中国(四川)自由*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及微波等离子体反应器技术领域,具体是一种适用于MPCVD的TM022模式微波等离子体反应器,用于解决现有技术反应器中在钼托盘上不能产生扁平等离子体,从而降低了金刚石晶体或镀膜生长效率的问题。本发明包括反应腔体和同轴馈入,所述反应腔体内安装有钼托盘,所述石英密封窗的顶面安装有水冷台,所述钼托盘安装在水冷台的顶面,所述水冷台内开有与同轴馈入连通的通道,所述水冷台的顶面还开有与通道连通且位于钼托盘底面的凹坑,所述钼托盘的边缘还开有与凹坑连通的通孔。本发明在微波高强场和温度场的共同作用下,在反应器中得到一个扁平分布的高折合电场区域,进而得到扁平的等离子体,提高金刚石晶体的生长效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 适用于 mpcvd tm022 模式 微波 等离子体 反应器 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的