[发明专利]一种单晶硅缺陷分布区域的检测方法有效
| 申请号： | 202010596309.7 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111624460B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 金铉洙;同嘉锡 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;胡影 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶硅缺陷分布区域的检测方法，所述检测方法包括：将样品硅片平均分为两份；对第一份样品硅片进行一次热处理，对第二份样品硅片进行二次热处理；将经一次热处理后的第一份样品硅片和经二次热处理后的第二份样品硅片拼接得到第三样品硅片，并对所述第三样品硅片进行少数载流子寿命测试；根据所述第三样品硅片的少数载流子寿命测试结果，确定所述样品硅片的缺陷分布区域。根据本发明实施例的检测方法，可以减少处理样品硅片的时间，节约检测工序，简化了检测的操作过程，检测结果的准确度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 缺陷 分布 区域 检测 方法 | ||
【主权项】：
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