[发明专利]一种单晶硅缺陷分布区域的检测方法有效
| 申请号： | 202010596309.7 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111624460B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 金铉洙;同嘉锡 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;胡影 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 缺陷 分布 区域 检测 方法 | ||
1.一种单晶硅缺陷分布区域的检测方法，其特征在于，包括：
将样品硅片平均分为两份；
对第一份样品硅片进行一次热处理，对第二份样品硅片进行二次热处理；
将经一次热处理后的第一份样品硅片和经二次热处理后的第二份样品硅片拼接得到第三样品硅片，并对所述第三样品硅片进行少数载流子寿命测试；
根据所述第三样品硅片的少数载流子寿命测试结果，确定所述样品硅片的缺陷分布区域。
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述对第一份样品硅片进行一次热处理，包括：
将第一份样品硅片在800～100℃的条件下热处理0.1～3.5小时。
3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述对第二份样品硅片进行二次热处理，包括：
将第二份样品硅片依次在800～950℃的条件下热处理0.1～3.5个小时，在1000～1150℃的条件下热处理0.1～3.5小时。
4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述将样品硅片平均分为两份之前，还包括：
采用氢氟酸清洗所述样品硅片并进行干燥。
5.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述氢氟酸的浓度为4％～20％，清洗时间为1～15分钟。
6.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述样品硅片为晶棒切片后得到的硅片、滚磨后的硅片、研磨后的硅片中的任意一种。
7.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述一次热处理和所述二次热处理在氦、氮、氩、氧中的至少一种气体中进行。
8.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述一次热处理和所述二次热处理的温度上升和/或下降速度控制在小于200℃/min。
9.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述根据所述第三样品硅片的少数载流子寿命测试结果，确定所述样品硅片的缺陷分布区域，包括：
将测试得到的第三样品硅片的测试结果中的第一份样品硅片的少数载流子寿命值和第二份样品硅片的少数载流子寿命值进行比较，确定所述样品硅片的不同缺陷的分布区域。
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