[发明专利]硅基片上集成半导体放大器有效
| 申请号： | 202010594163.2 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111650691B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 张志珂;戴双兴;赵泽平;刘建国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/124 | 分类号： | G02B6/124;G02B6/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基片上集成半导体放大器，包括：模场调控器，采用聚合物材料，其上设计包括载物台和相对于载物台对向设置的至少一组光传输波导，每组光传输波导包括光输入波导和光输出波导；InP基半导体放大器，置于载物台上，并具有光波导通路，光输入波导的光经光波导通路放大后传输至光输出波导；以及模斑变换器，采用聚合物材料，作为光输入波导、光波导通路和光输出波导之间的连接组件。本发明提供的该硅基片上集成半导体放大器，利用混合集成技术实现lnP基半导体放大器与硅基光子芯片之间的异质集成，利用模场调控器完成lnP基波导与硅基波导的光模场匹配、耦合与传输，最终实现低损耗、高增益的硅基片上集成光放大器。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基片上 集成 半导体 放大器 | ||
【主权项】：
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