[发明专利]结合存储器访问的有缺陷的位线管理在审
| 申请号： | 202010592727.9 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN112466373A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | A·哈基菲罗兹;P·卡拉瓦德;R·H·莫特瓦尼;C·W·何 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24;G11C16/04;G11C16/14;G11C16/26;G11C16/34;G11C29/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘炳胜 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文的示例涉及在施加编程或擦除电压之前确定存储器区域中的有缺陷的位线的数量。如果使用在编程或擦除验证操作期间通过的位线的阈值数量来判断编程或擦除操作是通过还是失败，则可以使用所确定的有缺陷的位线的数量调节所确定的通过还是失败的数量。在一些情况下，本文描述的示例可以避免使用额外的位线和查找表电路在有缺陷的位线处使用，并且节省硅空间和与使用额外的位线相关联的成本。在一些示例中，可以通过考虑有缺陷的位线的数量来确定编程电压信号的起始幅值。在一些示例中，可以使用开路或短接的位线的识别来结合执行软位读取校正将涉及那些开路或短接的位线的读取操作识别为弱。 | ||
| 搜索关键词： | 结合 存储器 访问 缺陷 线管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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