[发明专利]一种超薄焊接堆叠封装方法有效
| 申请号： | 202010590382.3 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111681966B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 冯光建 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/48;H01L21/52 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超薄焊接堆叠封装方法，包括以下步骤：A，在硅转接板表面制作凹槽，在凹槽内嵌入不同厚度不同种类的芯片，芯片PAD互联面朝下，在转接板背面灌胶，使芯片和凹槽缝隙被填满；B，减薄转接板凹槽一面，使芯片厚度一致，然后减薄转接板另一面，刻蚀另一面的硅使PAD通过凹槽显露出来，电镀工艺得到跟PAD互联的RDL；C，通过粘贴工艺把多层减薄后的转接板堆叠，通过干法刻蚀工艺使各层互联RDL焊盘露出，沉积钝化层，打开焊盘底部金属，做种子层沉积，电镀金属得到互联RDL；D，在RDL表面植焊球得到多层堆叠的超薄封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 焊接 堆叠 封装 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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