[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、移位寄存器和栅极驱动电路在审
| 申请号： | 202010589567.2 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111682075A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 王庆贺;苏同上;汪军;黄勇潮;王海涛;刘宁;成军;胡迎宾 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L23/552;H01L21/336;H01L27/32;G11C19/28 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 吴俣;姜春咸 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种薄膜晶体管，包括：至少一个有源层图形，有源层图形包括：第一导体化图形、第二导体化图形以及位于第一导体化图形和第二导体化图形之间的半导体图形；栅极，位于有源层图形的一侧且与有源层图形之间绝缘；第一极和第二极，位于栅极背向有源层图形，分别与第一导体化图形和第二导体化图形电连接；至少一个有源层图形中的半导体图形配置有对应的导电屏蔽图形，导电屏蔽图形位于半导体图形背向栅极的一侧且与第一极电连接，导电屏蔽图形与半导体图形之间设置有缓冲层；导电屏蔽图形在其所对应的半导体图形所处平面上的正投影，至少部分覆盖其所对应的半导体图形。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 移位寄存器 栅极 驱动 电路 | ||
【主权项】：
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