[发明专利]具有在低电压下操作的读取电路的非易失性存储器在审
| 申请号： | 202010582807.6 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN112151093A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | D·曼弗雷;L·卡佩奇;M·卡里希米;M·帕索蒂 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C7/14 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请的各实施例涉及具有在低电压下操作的读取电路的非易失性存储器。非易失性存储器设备包括存储器阵列、读取电路、列解码器级以及读取供电电压生成器。列解码器级包括可选择位线和选择开关。读取供电电压生成器包括电压调节电路和伪列解码器，该伪列解码器耦合到电压调节电路的输出，并且该伪列解码器具有与被选择的读取路径相关联的电气特性。电压调节电路被配置为：接收与被选择的位线上的期望电压值相关联的第一电气量，以及与用于被选择的位线的期望电流值相关联的第二电气量，并且生成用于列解码器级的经调节的读取供电电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 压下 操作 读取 电路 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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